삼성전자는 17일 지난달부터 20나노급 4Gb(기가비트) 저전력 DDR2 모바일 D램을 양산하기 시작했다고 밝혔다.
최근 쿼드코어 CPU를 탑재한 스마트폰과 대화면 태블릿 등 고성능 모바일기기들이 모바일 시장 성장을 주도함에 따라 더 빠른 처리 속도는 물론 장시간 배터리를 사용할 수 있는 저전력 대용량 메모리에 대한 기대치가 높아지고 있다.
이에 따라 삼성전자는 이러한 고객의 요구에 대응할 수 있는 초절전 고성능 메모리로, 지난 3월 20나노급 8GB DDR3 노트북 모듈 양산에 이어, 지난달부터 20나노급 4Gb LPDDR2 D램을 양산하며 업계 최대 프리미엄 4Gb D램 라인업을 확보했다.
이번에 출시한 20나노급 4Gb D램 제품군은 세계 최고의 '초박형', '대용량', '고성능' 모바일 솔루션을 확보함은 물론 최소 칩 사이즈로 울트라슬림 디자인이 가능해졌다.
삼성전자는 지난해 3월 30나노급 4Gb LPDDR2 D램을 양산하며 모바일 메모리를 최대용량인 2GB까지 확대시킨 바 있다.
특히 이번에 최소 칩사이즈 공급으로 인해 지난 30나노급 모바일 D램에 이어 20나노급 모바일 D램에서도 지속적인 경쟁 우위를 확보함으로써 모바일 메모리 시장을 지속 주도해 나가게 됐다.
20나노 4Gb 모바일 D램을 4단 적층한 16Gb(2GB) 제품은 30나노 4Gb D램 4단 적층 제품에 비해 두께는 20% 줄었으며, 최대 1066Mbps 동작 속도와 동일한 소비 전력을 구현해 4Gb 시장을 더욱 빠르게 성장시킬 것으로 전망된다.
홍완훈 삼성전자 메모리사업부 부사장은 "지난해 업계 최초로 30나노급 4Gb D램 양산으로 4Gb D램 시장을 본격 확대했고 올해 20나노급 4Gb 양산으로 프리미엄 메모리 시장을 더욱 차별화시킬 수 있게 됐다"고 설명했다.
이어 "올 하반기에는 20나노급 D램 비중을 지속 늘리면서 4Gb D램을 메인 제품으로 자리 잡도록 하여 프리미엄 시장을 선점하고 경쟁력 우위를 더욱 강화해 나갈 것"이라고 덧붙였다.
한편, 아이서플라이는 4Gb D램은 2011년부터 시장이 확대돼 2012년 13%, 2013년 49%, 2014년에는 전체 생산 비중이 63%까지 확대돼 시장 주력 제품이 될 것으로 전망한 바 있다.
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