[뉴스토마토 김혜실기자]
삼성전자(005930)는 지난 3월 20나노 PC용 D램 양산에 성공한 데 이어 지난 9월 모바일 D램, 이번에는 서버용 D램에도 20나노 공정을 적용하며 풀 라인업을 구축했다.
삼성전자는 21일 세계 최초로 20나노 8기가비트(Gb) DDR4 서버 D램 양산에 성공했다고 밝혔다. 20나노 8기가비트 DDR4 서버 D램은 올해 하반기 DDR4 전용 서버 CPU 출시에 맞춰 양산을 시작한 차세대 제품으로, 프리미엄 서버 시장에서 기존 DDR3에서 DDR4로의 전환을 주도할 차세대 D램으로 꼽힌다.
20나노 8기가비트 D램 기반의 DDR4 서버용 모듈 제품은 기존 DDR3 기반의 모듈보다 약 30% 빠른 2400Mbps의 고성능을 구현하는 반면 동작 전압은 1.2볼트(V)로 DDR3의 1.5볼트보다 낮게 동작할 수 있어 소비 전력이 더 낮다.
또 기존 4기가비트 제품 기반으로는 최대 64기가바이트 용량의 모듈만 가능하지만, 이번 8기가비트 D램과 지난 8월 삼성전자가 세계 최초로 양산을 시작한 실리콘관통전극(TSV) 기술을 접목함으로써 최대 128기가 바이트의 모듈을 공급할 수 있게 됐다.
백지호 삼성전자 메모리사업부 마케팅팀 상무는 "이번 20나노 8기가비트 DDR4 D램은 차세대 서버 시스템 구축을 위한 3가지 필요 요소인 고성능, 고용량, 저전력을 모두 만족시킨 제품"이라며 "향후 20나노 D램의 비중을 지속 확대해 글로벌 고객의 수요 증가에 맞춰 최고 특성의 제품을 공급할 것"이라고 말했다.
삼성전자 20나노 8기가 DDR4 서버 D램. (사진제공=삼성전자)
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