[뉴스토마토 손정협기자] 삼성전자가 적층칩 웨이퍼의 두께를 현재의 4분의1로 줄이는 기술개발에 성공했다. 이에 따라 동일한 두께의 적층칩 패키지에 지금보다 훨씬 많은 용량을 갖출 수 있게 됐다.
삼성전자는 세계 최초로 0.6mm 두께의 8단 적층칩 기술을 개발하고, 이 기술을 32GB 낸드플래시 적층칩에 적용했다고 4일 밝혔다.
이 적층칩은 12인치 웨이퍼 뒷면을 15㎛ 두께로 갈아 내고, 8층으로 쌓아 올려 고용량의 패키지로 구현한 것이다. 기존 낸드플래시 8단 적층 패키지는 칩의 웨이퍼를 60㎛로 가공해 쌓아 올렸으며, 전체 두께는 1mm였다.
칩의 웨이퍼 두께를 30㎛ 이하로 가공하면 칩의 강도를 유지하기 어렵고, 칩의 적층 간격이 너무 좁아 안정적인 수율을 확보하기 어려웠던 한계를 극복한 것이다.
이 기술을 적용해 1mm 두께의 낸드플래시 적층칩을 구현하면 지금보다 두 배 이상의 대용량 제품을 제조할 수 있게 된다.
삼성전자는 이번 기술 개발로 현재 50% 이상의 세계점유율을 확보하고 있는 모바일 메모리 복합칩 제품 경쟁력을 더욱 강화할 수 있을 것으로 기대하고 있다.
정태경 삼성전자 테스트&패키지센터 상무는 "0.6㎜ 8단 적층칩은 대용량 적층칩 시장의 주력 제품에 비해 두께는 물론 무게까지 절반 정도로 줄어 대용량 메모리 탑재가 필수적인 모바일 기기 시장에 가장 적합한 솔루션"이라며 "업계의 한계로 여겨져 온 1㎜ 이하의 적층칩 솔루션을 제공하게 돼 모바일 기기 제조 업체들은 다양한 제품 디자인을 할 수 있게 될 것"이라고 말했다.
뉴스토마토 손정협 기자 sjh90@etomato.com
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