[뉴스토마토 손정협기자] 삼성전자는 세계 최초로 40나노(1나노 : 10억분의 1미터)급 공정을 적용한 2기가비트(Gb) DDR3 D램 제품 양산을 시작했다고 21일 밝혔다.
이는 지난 1월 제품 개발을 완료한지 7개월 만으로, 지난해 9월부터 생산 중인 50나노급 제품에 비해 생산성이 약 60% 향상됐다.
40나노급 2기가비트 DDR3 D램의 주력 공급 제품은 동작전압이 1.35V로, 기존 1.5V 제품에 비해 약 20% 정도 빠른 1.6Gbps의 데이터 처리 속도를 구현한다.
삼성전자는 DDR3 시장 확대를 위해 ▲서버용 16기가바이트(GB) 및 8기가바이트 모듈(RDIMM) ▲워크스테이션, 데스크 탑 PC용 4기가바이트 모듈(UDIMM) ▲노트북 PC용 4기가바이트 모듈(SODIMM) 등 대용량 메모리 모듈 제품을 중점적으로 공급할 계획이다.
한편 반도체 시장 조사기관인 아이서플라이에 따르면 DDR3 D램이 전체 D램 시장에서 차지하는 비중은 비트(Bit) 환산 기준으로 올해 20%에서 2012년 82%까지 늘어날 것으로 예상된다.
뉴스토마토 손정협 기자 sjh90@etomato.com
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