고부가 집중…DB하이텍, 차세대 전력반도체 공정 개발 속도

GaN·SiC 8인치 공정 개발에 전념부가가치·성장성 높아…1.1조 투입

[뉴스토마토 신지하 기자] DB하이텍이 차세대 전력반도체 공정 개발에 속도를 내고 있습니다. 부가가치와 성장성이 높은 신소재 기반 전력반도체 역량을 키워, 점유율 확대뿐 아니라 실적 반등까지 꾀한다는 전략입니다.

 

27일 업계에 따르면 DB하이텍은 차세대 전력반도체 소재인 질화갈륨(GaN)·실리콘카바이드(SiC) 8인치 공정 개발에 한창입니다. SiC는 생산능력 월 2만장을 목표로 2030년까지 7000억원을 투입, GaN은 2026년까지 4000억원을 투자해 월 1만장을 생산할 계획입니다.

 

전력반도체는 전자 기기에 들어오는 전력을 변환, 저장, 분배 및 제어하는 역할을 수행합니다. 모바일과 가전, 자동차 등 응용처가 다양하며, 다품종 소량 생산이 특징입니다. 타 제품군과 비교해 경기 변동을 잘 타지 않아 수요가 안정적이라는 평가를 받습니다.

 

GaN·SiC 반도체는 기존 실리콘(Si) 반도체 대비 고전압·고주파·고온에 강해 전력 효율이 높습니다. 전기차와 신재생에너지, 고속충전, 5G 등 신성장 분야 중심으로 수요가 커지는 추세입니다. 특히 SiC는 1200볼트 이상의 초고전압을 버티는 등 기술적 난이도가 높아 아직까진 6인치가 시장 주류입니다.

 

시장조사업체 욜디벨롭먼트에 따르면 SiC 시장 규모는 2022년 17억9400만달러에서 2028년 89억600만달러까지 연평균 약 31% 증가할 전망입니다. GaN 시장 규모도 2022년 1억8500만달러에서 2028년 20억3500만달러로 연평균 약 49%로, 빠르게 성장할 것으로 예측됩니다.

 

DB하이텍 부천공장(Fab1) 전경. 사진=DB하이텍

 

DB하이텍은 경쟁 우위에 설 수 있는 GaN·SiC를 기반으로 전력반도체 라인업을 확대할 방침입니다. SiC 반도체는 초기 8인치 시장에 적기 진입해 점유율을 높인다는 전략입니다. 지난해 10월 GaN·SiC 디바이스 제조에 필요한 핵심장비도 도입하는 등 시장 회복기에 대응할 역량 강화에 주력하고 있습니다.

 

지난해 DB하이텍의 실적은 글로벌 경기 침체에 따른 반도체 시장 불황 여파로 두 자릿수대 감소세를 기록했습니다. DB하이텍의 지난해 연간 매출은 1조1578억원, 영업이익은 2663억원으로 전년보다 각각 30.89%, 65.35% 줄었습니다. 순이익은 2448억원으로 1년 전과 비교해 56.2% 급감했습니다.

 

DB하이텍 관계자는 "SiC와 GaN 8인치 공정 개발에 대한 투자 집행은 각각 2030년과 2026년까지를 계획하고 있다"면서도 "현재 개발을 진행 중인 만큼 구체적인 제품 양산 시점을 밝히기는 어렵다"고 말했습니다. 지난해 말 기준 DB하이텍의 8인치 파운드리 생산능력은 월 기준 15만1000장입니다.

  

신지하 기자 [e-mail]

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