삼성전자, 세계 최초 20나노 D램 양산..기술로 난제 극복

[뉴스토마토 황민규기자] 삼성전자는 11일 세계 최초로 차세대 '20나노(1나노:10억분의 1미터) 4기가비트(Giga bit) DDR3(Double Data Rate 3) D램' 본격 양산을 시작했다고 공식 발표했다.

 

세계 메모리 반도체 업계의 난제 중 하나로 꼽혀온 20나노 D램은 삼성전자가 지난 2012년 세계 최초로 양산한 25나노 D램 대비 30% 이상, 30나노급 D램과 비교하면 2배 이상 생산성이 높다.

 

이번 삼성전자(005930)의 20나노 D램 양산은 대당 1000억원이 넘는 극자외선(EUV) 노광 장비 없이 달성했다는 데 의미가 크다. 메모리 미세공정 한계를 자체 기술력과 기존에 보유한 설비만으로 해결했다는 얘기다.

 

일반적으로 20나노 초반, 10나노대의 D램 공정 돌입을 위해서는 EUV 노광 장비가 필요하다. 한 생산라인에 적게는 수십 대에서 많게는 수백 대가 들어갈 수 있다. EUV 미세공정 전환에 필요한 막대한 비용을 삼성전자 자체 기술력으로 극복한 셈이다.

 

삼성전자 관계자는 "D램 공정한계를 독자기술인 '개량형 이중 포토 노광 기술'을 통해 극복해 기존 포토장비로도 20나노 D램은 물론 차세대 10나노급 D램도 양산할 수 있는 기반기술을 마련한 것"이라고 설명했다.

 

또 셀 커패시터의 유전막을 형성하는 물질을 기존 나노단위에서 옹스트롬(10분의 1나노) 단위로 초미세 제어함으로써 균일한 유전막을 만들어 20나노에서도 우수한 셀 특성을 확보했다.

 

이 관계자는 "20나노 DDR3 D램 모듈은 PC에서 기존 25나노 대비 소비전력을 25% 절감할 수 있어 글로벌 IT 업체들에게 최고 수준의 '초절전 그린 IT 솔루션'을 제공할 수 있다"고 말했다.

 

한편 삼성전자는 앞으로도 10나노급 차세대 D램 제품을 선행 개발해 메모리 시장의 성장세를 지속적으로 주도할 계획이다. 시장 조사기관 가트너에 따르면 세계 D램 메모리 시장은 올해 379억달러로, 지난해 356억달러 대비 20억달러 이상 성장할 것으로 전망된다.

 

◇삼성전자가 세계 최초로 양산하기 시작한 20나노 D램.(사진=삼성전자)