[뉴스토마토 안정훈 기자] SK하이닉스와 어플라이드 머티어리얼즈가 차세대 D램과 고대역폭메모리(HBM) 개발 및 도입을 가속하기 위한 장기 협력 계약을 체결했습니다.
11일 프라부 라자 어플라이드 머티어리얼즈 반도체 제품 그룹 사장과 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장(왼쪽부터)이 AI 메모리 등의 기술 개발을 위해 장기 협력 계약을 체결하고 있다. (사진=어플라이드 머티어리얼즈)
어플라이드는 11일 자사 반도체 연구센터인 ‘어플라이드 에픽(EPIC) 센터’ 창립 파트너로 SK하이닉스가 합류했다고 밝혔습니다. 이에 따라 양사는 에픽 센터에서 직접 협업하며 재료 혁신과 공정 통합, 3D 첨단 패키징 전반에서 기술 개발을 추진할 예정입니다.
게리 디커슨 어플라이드 머티어리얼즈 회장 겸 최고경영자(CEO)는 “어플라이드 머티어리얼즈와 SK하이닉스는 재료공학 혁신을 통해 첨단 메모리 칩의 에너지 효율 성능을 개선해 온 오랜 협력의 역사를 공유하고 있다”며 “"SK하이닉스를 EPIC 센터의 창립 파트너로 맞이하게 되어 기쁘며, AI 시대를 위한 차세대 D램과 HBM 기술의 상용화를 앞당기는 의미 있는 혁신을 함께 만들어가길 기대한다”고 했습니다.
곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 “AI 시스템의 지속적인 확장은 에너지 효율적인 메모리 기술에 대한 전례 없는 수요를 만들어내고 있다”며 “AI 발전의 가장 큰 과제는 메모리 속도와 프로세서 성능 간 격차가 점점 벌어지고 있다는 점”이라고 했습니다.
또 곽 사장은 “이러한 한계를 극복하기 위해 SK하이닉스의 첨단 메모리 기술은 더 빠르고 에너지 효율적인 데이터 처리를 가능하게 하고 있다”며 “새로운 에픽 센터에서 어플라이드 머티어리얼즈와의 협력을 통해 AI에 최적화된 차세대 메모리 솔루션을 구현할 혁신 로드맵을 제시할 수 있기를 기대한다”고 덧붙였습니다.
양사는 차세대 메모리 개발을 위한 장기 반도체 연구개발(R&D) 과제를 공동으로 추진하기 위해 포괄적 기술 개발 계약도 체결했습니다. 초기 공동 혁신 프로그램은 △신소재 탐색 △복합 공정 통합 방식 △HBM급 첨단 패키징 구현 등에 초점을 맞췄습니다. 이를 통해 미래 메모리 아키텍처의 성능과 양산성을 동시에 높인다는 목표입니다.
양사의 협력은 에픽 센터의 ‘고속 공동 혁신(High-velocity co-innovation)’ 모델을 기반으로 진행됩니다. SK하이닉스 엔지니어들은 어플라이드 기술진과 함께 현장에서 협업하며 신기술 개발에 나설 계획입니다.
또 SK하이닉스는 싱가포르에 위치한 어플라이드의 첨단 패키징 R&D 역량을 활용해 디바이스 수준 혁신과 이종 집적을 연계하고, 3D 첨단 패키징 분야의 새로운 과제에도 대응할 방침입니다.
차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장(CTO)은 “AI 시대 메모리 기술 발전을 위해서는 웨이퍼 팹 장비 개발에 대한 새로운 접근이 필요하다”며 “어플라이드 머티어리얼즈와의 공동 혁신 프로그램은 디바이스 엔지니어링과 첨단 패키징 전반에 걸쳐 신소재, 공정 통합, 열 관리 기술에 초점을 맞출 계획이다. EPIC 센터에서 어플라이드 엔지니어들과 작업함으로써 더 빠른 학습 주기와 양산 수준의 기술 검증을 통해 차세대 AI 메모리 개발을 앞당길 것”이라고 했습니다.
에픽 센터는 어플라이드가 약 7조원을 투자해 조성 중인 첨단 반도체 공정 기술 및 제조 장비 공동 R&D 시설로, 연내 개관을 목표로 하고 있습니다. 미국 내 첨단 반도체 장비 R&D 분야에서는 역대 최대 규모 투자입니다. 앞서 삼성전자도 지난달 창립 파트너로 합류한 바 있습니다.
안정훈 기자 ajh76063111@etomato.com
이 기사는 뉴스토마토 보도준칙 및 윤리강령에 따라 오승훈 산업1부장이 최종 확인·수정했습니다.
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