[뉴스토마토 조재훈 기자] 삼성전자가 이르면 다음주 세계 최초로 파운드리 3나노미터 공정 양산에 돌입한다.
22일 삼성전자는 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 3나노 반도체 공정이 계획대로 진행되고 있다고 밝혔다. 삼성전자 관계자는 "계획대로 진행되고 있는 상황으로 양산 시점에 대해서는 파운드리와 팹리스 고객사가 협의를 통해서 누가, 언제 발표할 지를 결정한다"며 "3나노 반도체 공정이 무산됐다는 일부 보도는 사실이 아니며 상반기 중 양산에 나설 계획"이라고 말했다. 목표 시점이 올 상반기인 만큼 다음주 양산이 시작될 것으로 예상된다.
지난 5월 20일 삼성전자 평택 공장을 방문한 한미 정상이 사인한 3나노 반도체 웨이퍼 시제품. (사진=연합)
TSMC는 올해 말로 양산 시점을 공언한 바 있다. 따라서 삼성전자는 계획대로 양산 시 3나노 최초 타이틀을 거머쥐게 됐다. 앞서 삼성전자는 이달 초 3nm GAA 공정에서 시범 양산을 위한 웨이퍼를 투입시켰다. 3nm 공정으로 제작된 반도체는 5nm 대비 칩 면적은 35% 줄이면서 성능과 배터리 효율은 각각 15%, 30% 개선된 것으로 전해졌다.
지난달에는 삼성의 평택 반도체 공장을 방문한 윤석열 대통령과 조 바이든 미국 대통령이 삼성전자의 GAA 기반 3나노미터 공정이 적용된 웨이퍼에 서명을 남기기도 했다.
업계 안팎에서는 삼성전자가 3나노 양산을 공식 발표한다는 것을 두고 저조한 수율 문제를 해결했다는 관측이 나온다. 지난 18일 이재용 부회장이 '기술 리더십'을 공고히 해 나가겠다는 단호한 의지를 담아 '기술'을 세 차례나 언급한 것도 이와 일맥상통한다는 평가다.
조재훈 기자 cjh1251@etomato.com
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