하이닉스 44나노 D램 집적화 기술, VLSI 발표논문에 선정

"하이닉스의 D램 집적화 기술 국제적으로 인정"

하이닉스반도체의 44나노 D램 집적화 기술이 반도체 분야의 세계 최고 권위의 학회인 VLSI에서 발표논문으로 선정됐다.

 

하이닉스는 오는 6월 개최될 VLSI Symposium에서 이현진 선임연구원(사진) 등 17명이 공동으로 저술한 ‘44나노 D램 집적화’에 관한 기술이 발표논문으로 선정됐다고 29일 밝혔다.

 

하이닉스는 이 논문에서 진보된 3차원 소자를 통해 가장 작은 사이즈의 D램 집적화를 구현해낸 최첨단 기술을 발표, 기존 D램 기술의 한계를 넘어섰다는 평가를 받고 있다.

 

VLSI 학회는 IEDM과 더불어 반도체 분야의 가장 권위있는 학회로, 주로 선행 연구.기술과 관련된 논문이 발표되는데, 이번에 선정된 4개 논문 가운데 하이닉스는 IBM, 도시바, 인텔에 앞서 발표하는 영예를 누리게 됐다.

 

논문 발표자인 이현진 선임연구원은 지난해에도 VLSI 학회에서 ‘Best Student Paper’를 수상한 바 있다.

 

하이닉스는 이번 논문 선정과 관련, “하이닉스의 D램 집적화 기술이 국제적으로 인정을 받았다는 점에서 의미가 크다”고 말했다.

 

하이닉스는 지난 2월 올해 R&D(연구개발) 투자를 매출액 대비 8% 수준으로 늘리겠다고 밝힌 이후, 경쟁우위의 기술개발과 미래기술 확보에 회사의 역량을 집중해 왔었다.

 

한편, VLSI Symposium은 1981년 창설된 이후 매년 6월 미국과 일본에서 번갈아 열리며, 한 해 동안 세계 각국의 반도체 업계 및 학계에서 응모된 논문 중 가장 뛰어난 성과를 보인 논문을 선정해 발표한다.

 

뉴스토마토 정경준 기자([e-mail])