하이닉스, 차세대 DDR4 D램 개발..내년 하반기 양산

2011-04-04 09:32:58 ㅣ 2011-06-15 18:56:52

[뉴스토마토 손정협기자] 하이닉스(000660)반도체가 기존 더블데이터레이트(DDR)3 D램보다 데이터 전송속도를 2배로 높인 차세대 DDR4 D램을 개발했다.

하이닉스는 4일 국제 반도체 표준협의 기구(JEDEC) 규격을 적용한 30나노급 2기가비트(Gb) DDR4 D램과, 이를 적용한 2기가바이트(GB) ECC-SODIMM(Error Check & Correction Small Outline Dual In-line Memory Module)의 개발을 완료했다고 밝혔다.

DDR4 D램은 현재 시장의 주력제품인 DDR3 D램보다 전력소모가 적으면서도 데이터 전송속도를 대폭 높인 차세대 D램 규격이다.

1.2볼트(V) 저전압에서 업계 최초로 초당 2400메가비트(2400Mbps)의 초고속 데이터 전송속도를 구현, 기존 DDR3 1333Mbps 제품보다 처리속도가 80% 가량 향상됐다.

2400Mbps의 데이터 전송속도는 64개의 정보 입출구(I/O)를 가진 ECC-SODIMM 제품을 통해 DVD급 영화 4~5편에 해당되는 19.2GB의 데이터를 1초에 처리할 수 있다.

또한, D램의 동작온도와 명령신호 전송상태에 따라 능동적으로 소비전류를 감소시키는 신규 회로 기술을 적용해 1.5V DDR3보다 50% 가량 전력소모가 줄어들었다.

하이닉스는 업계 최고 수준의 DDR4 제품과 ECC-SODIMM을 통해 DDR4 표준화를 주도한다는 방침이다.

김지범 하이닉스 마케팅본부장(전무)는 “이번에 개발된 DDR4 제품은 고객이 요구하는 친환경ㆍ저전력ㆍ고성능 특성을 모두 만족시켰다”며 “이를 통해 기존 PC 및 서버 시장은 물론 급속도로 성장하고 있는 태블릿 시장에서도 경쟁력 있는 고부가가치 솔루션을 제공할 수 있을 것” 이라고 말했다.

하이닉스는 이번 제품을 내년 하반기부터 양산할 계획이다.

시장조사기관인 아이서플라이에 따르면 DDR4 D램 비중은 2013년 5% 수준에서 2015년 50%를 넘을 전망이다.