CXMT, 차세대 서버 D램 연내 공개 예고…K메모리 추격 속도

CXMT “4F² RDIMM 연내 공개”셀 면적 줄여 고용량 D램 구현제품 고도화해 K메모리 맹추격

[뉴스토마토 이명신 기자] 중국 창신메모리(CXMT)가 차세대 셀 구조를 적용한 서버용 D램을 연내 공개할 계획을 밝히며 메모리 기술 추격에 속도를 내고 있습니다. 삼성전자의 해당 기술 양산 시점이 2028년으로 예상되는 가운데 중국도 개발 일정에 박차를 가하는 상황입니다. CXMT가 글로벌 D램 시장점유율을 10%까지 끌어올린 데 이어 서버용 고부가 제품으로 영역을 넓히면서 한중 메모리 경쟁도 치열해지고 있습니다.

 

중국 베이징에 위치한 창신메모리(CXMT) 사업장 전경. (사진=연합뉴스)

 

12일 사우스차이나모닝포스트(SCMP) 등 외신에 따르면 CXMT는 최근 중국 상하이에서 열린 제4회 집적회로·칩렛 콘퍼런스에서 4F제곱(4F²) 구조를 활용한 DDR5 레지스터 메모리 모듈(RDIMM)을 연내 공개하겠다고 밝혔습니다. RDIMM은 서버에 주로 사용되는 D램 모듈로, 여러 개의 D램과 신호를 중계하는 레지스터 칩으로 구성된 형태입니다.

 

4F²는 반도체의 최소 가공 선폭을 뜻하는 F를 기준으로 가로와 세로가 각각 2F인 면적에 하나의 메모리 셀을 배치하는 구조입니다. 기존 D램의 6F² 구조보다 셀 하나가 차지하는 면적을 이론적으로 약 33% 줄일 수 있어 같은 크기의 반도체에 더 많은 셀을 집적해 고용량 D램 구현에 유리합니다.

 

이를 구현하려면 평면형 트랜지스터를 수직으로 배치하는 등 구조적 변화가 필요합니다. CXMT는 자체 개발한 수직 환형 게이트(VSG) 트랜지스터를 통해 고밀도 집적 시 발생하는 전류 누설 문제를 해결했다고 설명했습니다. 다만 CXMT는 구체적인 제품 사양과 양산 일정을 밝히지 않았습니다.

 

삼성전자(005930)와 SK하이닉스(000660)도 4F² D램 개발을 추진하고 있습니다. 삼성전자는 지난 2월 국제고체회로학회(ISSCC)에서 수직 채널 트랜지스터와 하이브리드 본딩을 적용한 연구 성과를 공개했습니다. 업계에서는 삼성전자가 2028년부터 10나노 이하 차세대 D램에 해당 구조를 적용해 양산에 나설 것으로 예상하고 있습니다. SK하이닉스 역시 지난해 수직 트랜지스터를 활용한 4F² VG 플랫폼과 함께 3D D램 등 차세대 D램의 로드맵을 제시했습니다.

 

CXMT는 중국 내수시장을 기반으로 서버용 D램 사업도 확대하고 있습니다. 지난 7월 공개된 CXMT의 증권신고서에 따르면 서버용 D램 매출은 2024년 19억2700만위안에서 지난해 159억7000만위안으로 약 8.3배 증가했습니다.

 

시장점유율도 상승세입니다. 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 올해 2분기 CXMT의 글로벌 D램 매출 점유율은 10%로 전년 동기 4%보다 6%포인트 상승했습니다. 삼성전자(38%)와 SK하이닉스(25%), 마이크론(24%)에 이어 세계 4위입니다.

 

CXMT는 차세대 서버용 D램 제품군을 고도화하면서 한국 메모리 업체들과의 경쟁 범위를 넓히고 있습니다. 업계 관계자는 “서버용 제품은 범용 제품보다 진입장벽이 높은 제품인데, 구체적인 양산 일정이나 성능이 공개되지 않아 글로벌 시장에서 경쟁력이 있을지는 미지수”라면서도 “내수시장을 통해 빠르게 공급망을 확대하고 양산 실적을 쌓는 점 때문에 중국 업체들을 경계해야 한다”고 했습니다.

 

이명신 기자 [e-mail]

이 기사는 뉴스토마토 보도준칙 및 윤리강령에 따라 오승훈 산업1부장이 최종 확인·수정했습니다.