하이닉스 반도체는 차세대 메모리 STT램(Spin-Transfer Torque RAM)의 개발 업체인 미국 그란디스(Grandis)와 STT램 기술에 대한 라이선스 및 공동 개발 계약을 체결했다고 2일 밝혔다.
이번 계약에 따라 하이닉스는 그란디스로부터 STT램 기술 라이선스를 취득했고 향후 두 회사는 연구 인력을 공동 투입해 제품 개발에 협력하게 된다.
하이닉스측은 "STT램 개발 분야에서 선도적 위치를 점하고 있는 그란디스 로부터 국내 최초로 기술 도입 및 공동 기술 개발 계약을 체결함으로써 차세대 메모리 기술을 조기에 확보하고 시장 선점 가능성을 한층 높이게 됐다"고 밝혔다.
차세대 메모리STT램은 자기적 성질을 이용한 메모리로, D램과 낸드플래시의 장점을 고루 갖췄다. 전력공급 없이도 정보를 보관하는 비휘발성메모리로 무제한에 가까운 반복 기록·재생이 가능하며 D램 이상의 고용량을 구현할 수 있다.
또 주요 메모리들보다 소비전력이 낮고 D램보다 속도가 빠른 S램 수준의 초고속 동작이 가능해 다양한 어플리케이션에 적용이 가능하다. 내성이 강해 데이터가 손상되지 않는 등 안정성 측면에서도 최고 수준을 갖춘 것으로 알려졌다.
STT램은 특히 기존 메모리 제품에 있어서의 기술적, 물리적 한계로 여겨지고 있는 40나노미터 이하에서도 집적이 가능한 최적의 차세대 메모리로 인정받고 있다.
오는 2012년경부터 본격적인 시장이 형성될 것으로 예상되며, 초기에는 모바일어플리케이션에 사용되는 노어플래시를 대체 가능할 것으로 기대되고 있다. 중장기적으로는 D램까지도 대체할 수 있을 것으로 예상된다.
한편 하이닉스는 이번 계약과는 별도로 지난해말부터 시작된 지식경제부 주관의 `차세대 테라비트급 비휘발성 메모리 개발` 2단계 사업의 일환으로 지난 1월 삼성전자와도 STT램공동개발을 추진하기로 한 바 있다.
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