[뉴스토마토 신항섭 기자] “최초로 미래 신소재(GaN on Diamond)를 개발해 기존의 글로벌 회사를 뛰어넘을 수 있도록 노력하겠다.”
조덕수 알에츠에이치아이씨(RFHIC) 대표이사는 21일 서울 여의도에서 열린 기업공개(IPO) 기자간담회에서 이같이 말했다. 그는 RFHIC가 통신사업 부문의 확대를 통해 방산부문의 경쟁력을 확보했고, 세계 시장으로 나아가고 있다고 설명했다.
RFHIC는 1999년에 설립된 기업으로 국내 1위 무선주파수(Radio Frequency, RF) 증폭기 제조업체다. 무선통신장비용 반도체 부품을 전문적으로 생산 및 판매하고 있다. 국내에서 유일하게 GaN(질화갈륨) 소재를 적용한 GaN 트랜지스터 및 통신용, 레이더용 전력증폭기를 생산한다.
성능 대비 높은 가격 때문에 인공 위성 및 방산 등 제한된 용도로 사용되던 차세대 화합물 반도체 소재인 GaN을 통신용으로 대량 양산하고 적용해, 기존 시장을 장악하던 실리콘 기반 소재 LDMOS와 경쟁하고 있다.
GaN 소재에 대한 투자로 지난 2014년 통신장비업체 화웨이와 거래를 시작했고, 올해는 노키아 등의 신규 거래처를 추가로 확보했다. 작년 매출의 절반은 화웨이와의 거래를 통해 달성했다. 기존 거래처인 삼성전자 역시 지속적으로 거래 중이다.
RFHIC는 통신부문에서 획득한 노하우를 바탕으로 방산부문 진출 및 사업영역을 확장하고 있다. 국내 방산업체인 LIG넥스원 및 글로벌 방산업체인 Lockheed Martin, BAE Systems, Raytheon, Airbus Defense, Harris 등 다양한 기업에 업체등록을 완료했다.
조 대표는 “세계 10대 방산업체의 벤더로 등록이 되어있고, 100대 방산기업 중 다수 기업에 벤더로 등록된 제조업체는 국내 기업 중 유일하다”고 강조했다. 이를 기반으로 향후 군사용 레이더 시스템 시장에 가격경쟁력을 지닌 제품을 공급할 계획을 갖고 있다. 또한 경쟁사와의 기술 격차를 확대하기 위하여 GaN on Diamond 웨이퍼를 개발 및 양산해 세계 최초로 무선통신시장과 방산시장에 적용할 계획이다.
한편 RFHIC는
엔에이치스팩8호(218410)와 합병을 통해 9월1일 코스닥에 상장할 예정이다. 합병 유입자금은 GaN on Diamond를 활용한 제품 개발 등에 사용할 예정이다.
조덕수 RHFCI 대표이사가 21일 여의도에서 열린 기업공개(IPO) 기자간담회에서 인사말을 하고 있다. 사진/신항섭 기자
신항섭 기자 kalthe@etomato.com
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