[뉴스토마토 오세은 기자]
삼성전자(005930)가 반도체 설계 자산 회사 ARM과 협력을 통해 회사 차세대 트랜지스터 구조인 게이트 올 어라운드(GAA·Gate-All-Around) 기술 경쟁력을 높입니다.
삼성전자는 ARM의 차세대 시스템온칩(SoC) 설계 자산을 자사의 최첨단 GAA 공정에 최적화해 양사간 협력을 강화한다고 21일 밝혔습니다. 이를 통해 설계 전문 팹리스 업체들이 GAA 공정에 대한 접근성을 높여 차세대 제품 개발에 들어가는 시간과 비용을 줄이겠다는 것입니다.
GAA는 현재 첨단 반도체 공정에 사용되고 있는 핀펫 구조에서 한 단계 더 진화된 차세대 트랜지스터 구조입니다. 게이트가 채널의 3면을 감싸고 있는 핀펫과 달리 채널의 4개 면 모두를 감싸 전류희 흐름을 보다 세밀하게 제어할 수 있어 전력 효율성을 높일 수 있습니다. 삼성전자는 4나노(나노미터·1nm는 10억 분의 1m) 이하에서는 핀펫 구조가 전류 흐름을 정상적으로 통제하지 못한다고 판단해 3나노부터 GAA를 적용하고 있습니다. TSMC와 인텔은 2나노부터 이 기술을 적용할 것으로 알려졌습니다.
이번 협업으로 생성형 AI 붐에 맞는 SoC 개발에 나선 팹리스 업체들이 ARM의 최신형 중앙처리장치(CPU)에 접근이 한층 용이해진다는 게 삼성의 설명입니다. 삼성전자는 최선단 GAA 공정 기반으로 설계된 ARM의 차세대 코어텍스-엑스(Cortex-X) CPU가 우수한 성능과 전력효율을 낼 수 있을 것으로 기대하고 있습니다.
계종욱 삼성전자 파운드리 사업부 Design Platform개발실 부사장은 "Arm과의 협력 확대를 통해 양사 고객들에게 생성형 AI 시대에 걸맞은 혁신을 지원하게 됐다"며 "삼성전자와 Arm은 다년간 쌓아온 견고한 파트너십을 통해 최첨단 기술과 노하우를 축적해왔으며, 이번 설계 기술 최적화를 통해 팹리스 고객들에게 최선단 GAA 공정 기반 초고성능, 초저전력 Cortex-CPU를 선보이겠다"고 말했습니다.
삼성전자 서초사옥. (사진=뉴시스)
오세은 기자 ose@etomato.com