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SK하이닉스, 속도 높이고 전압 낮춘 LPDDR4 세계최초 개발
20나노급 기술 적용한 8Gb 모바일 D램 개발
입력 : 2013-12-30 오전 10:58:43
[뉴스토마토 임애신기자] SK하이닉스가 기존 저전력 D램보다 전송속도는 2배 빠르면서 전압은 낮춘 제품을 출시했다. 내년 하반기부터 양산할 계획이다.
 
SK하이닉스는 30일 20나노급 기술을 적용한 8기가비트(Gb) LPDDR4(Low Power DDR4) 제품을 세계 최초로 개발하는데 성공했다고 전했다.
 
LPDDR은 스마트폰 등 모바일 기기에 주로 사용되는 D램 반도체다. SK하이닉스가 개발한  LPDDR4는 표준화가 진행 중인 차세대 모바일 D램 규격으로, 초고속·저전력의 특성을 갖췄다.
 
◇모바일용 LPDDR D램 제품별 특징 및 업계 출시연도
 
기존 LPDDR3의 1600Mbps 대비 2배 빠른 3200Mbps 이상의 데이터 전송 속도를 갖췄으며, 동작 전압 측면에서도 기존 LPDDR3의 1.2V 대비 낮은 1.1V를 구현했다.
 
SK하이닉스는 해당제품 샘플을 주요고객과 시스템온칩(SoC) 업체에 제공해 새로운 모바일 D램 규격 표준화를 위한 협업을 강화하고 있다.
 
진정훈 SK하이닉스 마케팅본부장(전무)는 "차세대 모바일 표준인 LPDDR4 제품을 세계 최초로 개발하고 고객에 샘플을 제공해 기술 리더십을 공고히 했다"며 "향후에도 고용량·초고속·저전력 제품 개발을 통해 모바일 분야 경쟁력을 강화하겠다"고 강조했다.
 
한편 SK하이닉스는 LPDDR4가 내년 말부터 플래그십 모바일 기기에 채용되기 시작해 오는 2015년부터 시장이 본격화, 2016년에는 주력제품이 될 것으로 기대하고 있다.
 
◇ SK하이닉스가 세계 최초로 개발한 20나노급 8Gb LPDDR4(사진= SK하이닉스)
임애신 기자


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